TSD882CK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD882CK

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 270 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для TSD882CK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSD882CK даташит

 ..1. Size:616K  taiwansemi
 tsd882ck.pdf pdf_icon

TSD882CK

TSD882 Low Vcesat NPN Transistor TO-126 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCBO 60V 2. Collector 3. Base BVCEO 30V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC=2A, IB=200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.3 @ IC=2A, IB=200mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB772 TSD882CK B0 TO-126 200pcs / Bulk TSD882CK B0G TO-126 200pcs / Bulk

 8.1. Size:244K  taiwansemi
 tsd882s.pdf pdf_icon

TSD882CK

TSD882S Low Vcesat NPN Transistor TO-92 SOT-89 Pin Definition Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base 1. Emitter BVCBO 60V 2. Collector 2. Collector 3. Emitter 3. Base BVCEO 50V IC 3A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 2A / 200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB

Другие транзисторы: TIP36CW, TSD1664CY, TSD1760CP, TSD1858CH, TSD2098ACY, TSD2118CP, TSD2150A, TSD2444CX, A940, TSD882S, TSL13003, TV9018NND03, TK2222ATTD03, TK2907ATTD03, TK3904LLD03, TK3904NND03, TK3906LLD03