TK3904LLD03. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK3904LLD03
Маркировка: 1N
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: WBFBP-03D
Аналоги (замена) для TK3904LLD03
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
TK3904LLD03 даташит
tk3904lld03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03D Plastic-Encapsulate Transistors C TK3904LLD03 TRANSISTOR WBFBP-03D (1.0 1.0 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor B E FEATURES C 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary PNP Type Available (TK3906LLD03) BACK Ultra-Small Surface Mount Pack
tk3904led03.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03E Plastic-Encapsulate Transistors TK3904LED03 TRANSISTOR NPN WBFBP-03E DESCRIPTION NPN single switching transistor ultra small SMD plastic package FEATURE 1. BASE Complementary to TK3906LED03 2. EMITTER Single General-Purpose Switching Transistor 3. COLLECTOR APPLICATION General-Purpose Switching and Ampl
tk3904nnd03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C TK3904NND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor B E FEATURES C 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary PNP Type Available (TK3906NND03) BACK Ultra-Small Surface Mount Pack
tk3906lld03.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03D Plastic-Encapsulate Transistors C TK3906LLD03 TRANSISTOR WBFBP-03D (1.0 1.0 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION PNP Epitaxial Silicon Transistor B E C FEATURES 1. BASE Epitaxial Planar Die Construction 2. EMITTER Complementary NPN Type Available (TK3904LLD03) BACK 3. COLLECTOR Ultra-Small Surf
Другие транзисторы: TSD2150A, TSD2444CX, TSD882CK, TSD882S, TSL13003, TV9018NND03, TK2222ATTD03, TK2907ATTD03, 8050, TK3904NND03, TK3906LLD03, TK3906NND03, TMBT3904, TMBT3906, TRD136D, TRD236D, TSC236CZ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205





