Биполярный транзистор TMBT3904 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TMBT3904
Маркировка: LW
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.32 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
TMBT3904 Datasheet (PDF)
tmbt3904.pdf
TMBT3904 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TMBT3904 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current : V = 50 V, I = 150 mA (max) CEO C Complementary to TMBT3906 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 60 V Collector-emitter voltage VCEO 50 V 1. Base 2.
tmbt3906.pdf
TMBT3906 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TMBT3906 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications High voltage and high current : VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) Complementary to TMBT3904 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -50 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-bas
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050