TSC236CI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSC236CI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: ITO220

 Аналоги (замена) для TSC236CI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC236CI даташит

 8.1. Size:355K  taiwansemi
 tsc236.pdf pdf_icon

TSC236CI

TSC236 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1.3V @ IC / IB = 2.5A / 0.6A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Pack

Другие транзисторы: TK3904NND03, TK3906LLD03, TK3906NND03, TMBT3904, TMBT3906, TRD136D, TRD236D, TSC236CZ, 9014, TSC2411CX, TSC4505CX, TSC5401CT, TSC5904CX, TSC5988CT, TSC873CT, TSC873CW, TSC966CT