Биполярный транзистор TSB772CK - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TSB772CK
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO126
TSB772CK Datasheet (PDF)
tsb772ck.pdf
TSB772 Low Vcesat PNP Transistor TO-126 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCBO -50V 2. Collector 3. Base BVCEO -30V IC -3A VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.3 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSD882 TSB772CK B0 TO-126 250pcs / Bulk Structure TSB7
tsb772sct.pdf
TSB772S Low Vcesat PNP Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCBO -50V 2. Collector 3. Base BVCEO -30V IC -3A VCE(SAT) -0.5V @ IC / IB = -2A / -200mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSD882S TSB772SCT B0 TO-92 1Kpcs / Bulk Structure T
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: BLY29
History: BLY29
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050