TPV385 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPV385  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: STYLE-500-6L-FLG

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPV385

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPV385 даташит

 ..1. Size:242K  hgsemi
 tpv385.pdf pdf_icon

TPV385

HG RF POWER TRANSISTOR TPV385 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE 500 6L FLG The HG TPV385 is Designed for Operation in Band III TV Transposers and Transmitter Amplifiers from 170 to 230 MHz. FEATURES INCLUDE Gold Metalization Emitter Ballast Resistors Internal Input Matching Common Emitter MAXIMUM RATINGS IC 10 A (CONT)

Другие транзисторы: TSB1386CY, TSB1412CP, TSB1424ACW, TSB1424CY, TSB1424CX, TSB1590CX, TSB772CK, TSB772SCT, BC556, TPV394, TPV5051, TPV591, TPV593, TPV595, TPV595A, TPV596A, TPV597