Биполярный транзистор TPV595 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TPV595
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: STYLE-250-BAL-FLG
- подбор биполярного транзистора по параметрам
TPV595 Datasheet (PDF)
tpv595.pdf

TPV595SILICON NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR14 W, in the 470 860 MHz Range ________________________________________________The silicon n-p-n transistor is designed for ClassAB Push Pull, Common Emitter from 470 to 860 MHzApplications.Features: Power Gain: 8.5 dB Min Output Power: 14 W IMD3: -47 dB MaxAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitCollector
tpv598re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TPV598/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTPV598Designed for 4.0 watt stages in Band V TV transposer amplifiers. Goldmetallized dice and diffused emitter ballast resistors are used to enhancereliability, ruggedness and linearity. Band IV and V (470860 MHz) 4.0 W Pref @ 60 dB IMD 25 V VCC
tpv597re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TPV597/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTPV597. . . designed for 1.0 watt stages in Band V TV transposer amplifiers. Goldmetallized dice and diffused emitter ballast resistors are used to enhancereliability, ruggedness and linearity. Band IV and V (470860 MHz) 1.0 W Pref @ 58 dB IMD 20 V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050