Справочник транзисторов. TPV595

 

Биполярный транзистор TPV595 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TPV595
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: STYLE-250-BAL-FLG
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

 

TPV595 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  syntez microelectronics
tpv595.pdf pdf_icon

TPV595

TPV595SILICON NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR14 W, in the 470 860 MHz Range ________________________________________________The silicon n-p-n transistor is designed for ClassAB Push Pull, Common Emitter from 470 to 860 MHzApplications.Features: Power Gain: 8.5 dB Min Output Power: 14 W IMD3: -47 dB MaxAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitCollector

 0.1. Size:90K  njs
tpv595a.pdf pdf_icon

TPV595
TPV595

 9.1. Size:83K  motorola
tpv598re.pdf pdf_icon

TPV595
TPV595

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TPV598/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTPV598Designed for 4.0 watt stages in Band V TV transposer amplifiers. Goldmetallized dice and diffused emitter ballast resistors are used to enhancereliability, ruggedness and linearity. Band IV and V (470860 MHz) 4.0 W Pref @ 60 dB IMD 25 V VCC

 9.2. Size:95K  motorola
tpv597re.pdf pdf_icon

TPV595
TPV595

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TPV597/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTPV597. . . designed for 1.0 watt stages in Band V TV transposer amplifiers. Goldmetallized dice and diffused emitter ballast resistors are used to enhancereliability, ruggedness and linearity. Band IV and V (470860 MHz) 1.0 W Pref @ 58 dB IMD 20 V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top