Справочник транзисторов. TSC128DCZ

 

Биполярный транзистор TSC128DCZ - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TSC128DCZ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для TSC128DCZ

 

 

TSC128DCZ Datasheet (PDF)

 6.1. Size:204K  taiwansemi
tsc128dc.pdf

TSC128DCZ
TSC128DCZ

TSC128D High Voltage NPN Transistor with Diode Pin Definition: TO-220 TO-263 PRODUCT SUMMARY 1. Base (D2PAK) BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1.5V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti- saturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable Stora

 9.1. Size:168K  taiwansemi
tsc1203ecm.pdf

TSC128DCZ
TSC128DCZ

TSC1203E High Voltage NPN Transistor TO-263 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (D2PAK) 1. Base BVCBO 1050V 2. Collector 3. Emitter BVCEO 550V IC 5A VCE(SAT) 0.5V @ IC=1A, IB=200mA Features Ordering Information High Voltage Capability Part No. Package Packing High switching speed TSC1203ECM RNG TO-263 800pcs / 13 Reel Note: G denote for Halogen Fr

 9.2. Size:165K  jiangsu
tsc124ennd03.pdf

TSC128DCZ

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O WBFBP-03B (1.21.20.5) TSC124ENND03 TRANSISTOR TOP unit: mm DESCRIPTION I G NPN Digital Transistor O 1. IN FEATURES 2. GND 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit BACK 3. OUT without connecting external input resistors

 9.3. Size:343K  jiangsu
tsc123jnnd03.pdf

TSC128DCZ

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O WBFBP-03B TSC123JNND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION I G NPN Digital Transistor O 1. IN FEATURES 2. GND 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit BACK without connecting external input resistors (see equiv

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top