TSC128DCM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSC128DCM  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TSC128DCM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC128DCM даташит

 6.1. Size:204K  taiwansemi
 tsc128dc.pdf pdf_icon

TSC128DCM

TSC128D High Voltage NPN Transistor with Diode Pin Definition TO-220 TO-263 PRODUCT SUMMARY 1. Base (D2PAK) BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1.5V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti- saturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variable Stora

 9.1. Size:168K  taiwansemi
 tsc1203ecm.pdf pdf_icon

TSC128DCM

TSC1203E High Voltage NPN Transistor TO-263 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (D2PAK) 1. Base BVCBO 1050V 2. Collector 3. Emitter BVCEO 550V IC 5A VCE(SAT) 0.5V @ IC=1A, IB=200mA Features Ordering Information High Voltage Capability Part No. Package Packing High switching speed TSC1203ECM RNG TO-263 800pcs / 13 Reel Note G denote for Halogen Fr

 9.2. Size:165K  jiangsu
 tsc124ennd03.pdf pdf_icon

TSC128DCM

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TSC124ENND03 TRANSISTOR TOP unit mm DESCRIPTION I G NPN Digital Transistor O 1. IN FEATURES 2. GND 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit BACK 3. OUT without connecting external input resistors

 9.3. Size:343K  jiangsu
 tsc123jnnd03.pdf pdf_icon

TSC128DCM

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O WBFBP-03B TSC123JNND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION I G NPN Digital Transistor O 1. IN FEATURES 2. GND 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit BACK without connecting external input resistors (see equiv

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TPV595, TPV595A, TPV596A, TPV597, TPR175, TSC123JNND03, TSC124ENND03, TSC128DCZ, D882P, TSC136CZ, TSC1417, TSC143ENND03, TSC143TNND03, TSC144ENND03, TSC148DCI, TSC148DCZ, TSC148DCM