TSC144ENND03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSC144ENND03  📄📄 

Маркировка: 26

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: WBFBP-03B

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TSC144ENND03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC144ENND03 даташит

 ..1. Size:274K  jiangsu
 tsc144ennd03.pdf pdf_icon

TSC144ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O TSC144ENND03 TRANSISTOR WBFBP-03B (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION NPN Digital Transistor I G O FEATURES 1. IN 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit 2. GND without connecting external input resistors (see equivalent ci

 9.1. Size:204K  taiwansemi
 tsc148d.pdf pdf_icon

TSC144ENND03

TSC148D High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor TO-220 ITO-220 TO-263 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (D2PAK) 1. Base 400V BVCEO 2. Collector 3. Emitter 700V BVCBO 8A IC 1.5V @ IC / IB = 5A / 1A VCE(SAT) Features Block Diagram Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti- saturation Operation No Need to Interest an hfe Value Becaus

 9.2. Size:112K  jiangsu
 tsc1417.pdf pdf_icon

TSC144ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 TSC1417 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER FEATURES 2. COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification. 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 20 V VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO Emitter-B

 9.3. Size:428K  jiangsu
 tsc143ennd03.pdf pdf_icon

TSC144ENND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors O WBFBP-03B TSC143ENND03 TRANSISTOR (1.2 1.2 0.5) TOP unit mm DESCRIPTION I G NPN Digital Transistor O 1. IN FEATURES 2. GND 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit BACK 3. OUT without connecting external input resistors (se

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TSC123JNND03, TSC124ENND03, TSC128DCZ, TSC128DCM, TSC136CZ, TSC1417, TSC143ENND03, TSC143TNND03, D667, TSC148DCI, TSC148DCZ, TSC148DCM, TSA1036CX, TSA114ENND03, TSA114TNND03, TSA124ENND03, TSA143ENND03