Справочник транзисторов. TP9013NND03

 

Биполярный транзистор TP9013NND03 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TP9013NND03
   Маркировка: J3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: WBFBP-03B
 

 Аналог (замена) для TP9013NND03

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP9013NND03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  jiangsu
 tp9013nnd03.pdf pdf_icon

TP9013NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9013NND03 TRANSISTOR DESCRIPTION C NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03B (1.21.20.5) TOP unit: mm FEATURES High Collector Current. (IC=500mA) Complementary to TP9012NND03 B E 1. BASE Excellent hFE linearity. C 2. EMITTER C 3. COLLECTOR APPLICATIO

 9.1. Size:287K  jiangsu
 tp9014nnd03.pdf pdf_icon

TP9013NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TP9014NND03 TRANSISTOR (1.21.20.5) TOP unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE C FEATURES 2. EMITTER High hFE and good linearity BACK 3. COLLECTOR Complementary to TP9015NND03 E B APPLICATION Pre-Amplifier, Low

 9.2. Size:340K  jiangsu
 tp9012nnd03.pdf pdf_icon

TP9013NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9012NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B DESCRIPTION (1.21.20.5) TOP unit: mm PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURES B E Complementary to TP9013NND03 1. BASE C Excellent hFE linearity 2. EMITTER 3. COLLECTOR APPLICATION BACK 150mW Output Amplifier of Potabl

 9.3. Size:305K  jiangsu
 tp9015nnd03.pdf pdf_icon

TP9013NND03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors TP9015NND03 TRANSISTOR C WBFBP-03B DESCRIPTION (1.21.20.5) TOP PNP Epitaxial Silicon Transistor unit: mm FEATURES B E High hFE and good linearity C 1. BASE Complementary to TP9014NND03 C 2. EMITTER BACK APPLICATION 3. COLLECTOR Low Frequency, Low Nois

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: KMST3904 | 2SA715D | KSE44H-11 | PEMX1 | 2SB1603A | MJE2090 | PDTA143XE

 

 
Back to Top

 


 
.