NE73430 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NE73430  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NE73430

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NE73430 даташит

 ..1. Size:37K  nec
 ne73430.pdf pdf_icon

NE73430

NPN SILICON GENERAL NE734 PURPOSE TRANSISTOR SERIES FEATURES LOW NOISE FIGURE

 ..2. Size:39K  nec
 2sc4185 2sc2148 ne73430 ne73435.pdf pdf_icon

NE73430

NPN SILICON GENERAL NE734 PURPOSE TRANSISTOR SERIES FEATURES LOW NOISE FIGURE

 8.1. Size:37K  nec
 ne73435.pdf pdf_icon

NE73430

NPN SILICON GENERAL NE734 PURPOSE TRANSISTOR SERIES FEATURES LOW NOISE FIGURE

Другие транзисторы: N0202R, N0202S, NE02103, NE02107, NE02112, NE02132, NE02133, NE02135, 2SC4793, NE73435, NUS5530MN, NXP3875G, NXP3875Y, NZT44H8, NZT45H8, N0501S, NJD1718T4G