NE73435 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NE73435
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO120
NE73435 Datasheet (PDF)
ne73435.pdf
NPN SILICON GENERAL NE734 PURPOSE TRANSISTOR SERIES FEATURES LOW NOISE FIGURE
2sc4185 2sc2148 ne73430 ne73435.pdf
NPN SILICON GENERAL NE734 PURPOSE TRANSISTOR SERIES FEATURES LOW NOISE FIGURE
ne73430.pdf
NPN SILICON GENERAL NE734 PURPOSE TRANSISTOR SERIES FEATURES LOW NOISE FIGURE
Другие транзисторы... N0202S , NE02103 , NE02107 , NE02112 , NE02132 , NE02133 , NE02135 , NE73430 , MJE340 , NUS5530MN , NXP3875G , NXP3875Y , NZT44H8 , NZT45H8 , N0501S , NJD1718T4G , NJD2873T4G .
History: CHDTA144WUGP
History: CHDTA144WUGP
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet




