NJD35N04G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

NJD35N04G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NJD35N04G
   Маркировка: 35N04G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для NJD35N04G

 

NJD35N04G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  onsemi
 njd35n04g.pdf pdf_icon

NJD35N04G

NJD35N04G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G NPN Darlington Power Transistor http //onsemi.com This high voltage power Darlington has been specifically designed for inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control. DARLINGTON Features POWER TRANSISTORS Exceptional Safe Operating Area 4 AMPERES High VCE; High Current Gain 350 VOLTS

 6.1. Size:118K  onsemi
 njvnjd35n04.pdf pdf_icon

NJD35N04G

NJD35N04G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G NPN Darlington Power Transistor http //onsemi.com This high voltage power Darlington has been specifically designed for inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control. DARLINGTON Features POWER TRANSISTORS Exceptional Safe Operating Area 4 AMPERES High VCE; High Current Gain 350 VOLTS

 6.2. Size:118K  onsemi
 njd35n04t4g.pdf pdf_icon

NJD35N04G

NJD35N04G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G NPN Darlington Power Transistor http //onsemi.com This high voltage power Darlington has been specifically designed for inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control. DARLINGTON Features POWER TRANSISTORS Exceptional Safe Operating Area 4 AMPERES High VCE; High Current Gain 350 VOLTS

Другие транзисторы... NUS5530MN , NXP3875G , NXP3875Y , NZT44H8 , NZT45H8 , N0501S , NJD1718T4G , NJD2873T4G , 8050 , NS2029M3T5G , NSVT30010MXV6T1G , NSVT3904DP6T5G , NSVT3904DXV6T1G , NSVT3946DP6T5G , NSVT3946DXV6T1G , NSVT45010MW6T1G , NSVT45010MW6T3G .

History: BCP56-16H | 2SD1940E | RN1417 | 2SD1683T | CD9011D | BFX56II | 2SD232F

 

 
Back to Top

 


 
.