NJL3281DG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJL3281DG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 260 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 260 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO264-5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJL3281DG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJL3281DG даташит

 ..1. Size:75K  onsemi
 njl1302dg njl3281dg.pdf pdf_icon

NJL3281DG

NJL3281D (NPN) NJL1302D (PNP) Complementary ThermalTrakt Transistors The ThermalTrak family of devices has been designed to eliminate thermal equilibrium lag time and bias trimming in audio amplifier http //onsemi.com applications. They can also be used in other applications as transistor die protection devices. BIPOLAR POWER TRANSISTORS Features 15 AMP, 260 VOLT, 200 WATT Ther

 6.1. Size:195K  onsemi
 njl3281d njl1302d.pdf pdf_icon

NJL3281DG

ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие транзисторы: NSVT45010MW6T3G, NSVT45011MW6T3G, NSVT489AMT1G, NSVT65010MW6T1G, NSVT65011MW6T1G, NJL0281DG, NJL0302DG, NJL1302DG, 2SC2655, NJL4281DG, NJL4302DG, NJT4030PT1G, NJT4030PT3G, NJT4031N, NJT4031NT3G, NSL12AWT1G, NSM4002MR6