NJL4302DG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJL4302DG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 230 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO264-5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJL4302DG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJL4302DG даташит

 ..1. Size:72K  onsemi
 njl4281dg njl4302dg.pdf pdf_icon

NJL4302DG

NJL4281D (NPN) NJL4302D (PNP) Complementary ThermalTrakt Transistors The ThermalTrak family of devices has been designed to eliminate thermal equilibrium lag time and bias trimming in audio amplifier http //onsemi.com applications. They can also be used in other applications as transistor die protection devices. BIPOLAR POWER TRANSISTORS Features 15 AMP, 350 VOLT, 230 WATT Ther

 6.1. Size:71K  onsemi
 njl4281d njl4302d.pdf pdf_icon

NJL4302DG

NJL4281D (NPN) NJL4302D (PNP) Complementary ThermalTrakt Transistors The ThermalTrak family of devices has been designed to eliminate thermal equilibrium lag time and bias trimming in audio amplifier http //onsemi.com applications. They can also be used in other applications as transistor die protection devices. BIPOLAR POWER TRANSISTORS Features 15 AMP, 350 VOLT, 230 WATT Ther

Другие транзисторы: NSVT489AMT1G, NSVT65010MW6T1G, NSVT65011MW6T1G, NJL0281DG, NJL0302DG, NJL1302DG, NJL3281DG, NJL4281DG, 13005, NJT4030PT1G, NJT4030PT3G, NJT4031N, NJT4031NT3G, NSL12AWT1G, NSM4002MR6, NSM6056M, NSM80100MT1G