NSM4002MR6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NSM4002MR6  📄📄 

Маркировка: 1AM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT457

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NSM4002MR6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSM4002MR6 даташит

 ..1. Size:151K  onsemi
 nsm4002mr6.pdf pdf_icon

NSM4002MR6

NSM4002MR6 Dual NPN Transistors for Driving LEDs NSM4002MR6 contains a single two NPN transistors. The base of the Q2 NPN transistor is internally connected to the collector of the Q1 NPN transistor. This device is designed to replace a discrete solution that is common for providing a constant current by integrating these two components into a single device. NSM4002MR6 is housed in a ww

Другие транзисторы: NJL3281DG, NJL4281DG, NJL4302DG, NJT4030PT1G, NJT4030PT3G, NJT4031N, NJT4031NT3G, NSL12AWT1G, D965, NSM6056M, NSM80100MT1G, NSM80101MT1G, NSS12100M3, NSS12100UW3TCG, NSS12100XV6, NSS12200LT1G, NSS12200W