Биполярный транзистор NSS12200W Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NSS12200W
Маркировка: V2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT363
Аналог (замена) для NSS12200W
NSS12200W Datasheet (PDF)
nss12200w.pdf

NSS12200WT1G12 V, 2 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important
nss12200wt1g.pdf

NSS12200WT1GLow VCE(sat) Transistor, PNP, 12 V, 2.0 A, SOT-363 PackageON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowhttp://onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications 12 VOLTSwhere affordable e
nss12200lt1g.pdf

NSS12200LT1G12 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa
nss12200l.pdf

NSS12200L12 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.www.onsemi.comT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: DTC113ZVA
History: DTC113ZVA



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560