Справочник транзисторов. NSV1C201LT1G

 

Биполярный транзистор NSV1C201LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSV1C201LT1G
   Маркировка: VT
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.71 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSV1C201LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  onsemi
 nsv1c201lt1g.pdf pdf_icon

NSV1C201LT1G

NSS1C201L, NSV1C201L100 V, 3.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswww.onsemi.comwhere affordable efficient energy control is i

 5.1. Size:137K  onsemi
 nss1c201l nsv1c201l.pdf pdf_icon

NSV1C201LT1G

NSS1C201L, NSV1C201L100 V, 3.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is i

 6.1. Size:109K  onsemi
 nsv1c201mz4t1g.pdf pdf_icon

NSV1C201LT1G

NSS1C201MZ4,NSV1C201MZ4100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy cont

 6.2. Size:104K  onsemi
 nss1c201mz4 nsv1c201mz4.pdf pdf_icon

NSV1C201LT1G

NSS1C201MZ4,NSV1C201MZ4100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy cont

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | S8050-MS | MP930R | CHDTA114TUGP | SD1136

 

 
Back to Top

 


 
.