Биполярный транзистор NJW21193G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NJW21193G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3P
Аналог (замена) для NJW21193G
NJW21193G Datasheet (PDF)
njw21193g njw21194g.pdf

NJW21193G (PNP)NJW21194G (NPN)Silicon Power TransistorsThe NJW21193G and NJW21194G utilize Perforated Emittertechnology and are specifically designed for high power audio output,disk head positioners and linear applications.http://onsemi.comFeatures Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERES High DC Current GainCOMPLEMENTARY SILICON Excellent Gain Linearit
njw21193g.pdf

NJW21193GTransistor Silicon PNP Epitaxial TypePower Amplifier Applications Complementary to NJW21194G High collector voltage:VCEO=-250V (min) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifierOutput stageNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the applicationof high temperature/current/voltage and the significant changein temperature, etc.) may cau
njw21193g.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor NJW21193GDESCRIPTIONLarge collector currentLow collector saturation voltageHigh power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in DC-DC converterDriver of solenoid or motorFor audio amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
njw21193g-94g.pdf

NJW21193G (PNP)NJW21194G (NPN)Silicon Power TransistorsThe NJW21193G and NJW21194G utilize Perforated Emittertechnology and are specifically designed for high power audio output,disk head positioners and linear applications.http://onsemi.comFeatures Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERES High DC Current GainCOMPLEMENTARY SILICON Excellent Gain Linearit
Другие транзисторы... NJVMJB41CT4G , NJVMJB42CT4G , NJVMJB44H11T4G , NJVMJB45H11T4G , NJVNJD2873T4G , NJVNJD35N04G , NJVNJD35N04T4G , NJW1302G , 2N5401 , NJW21194G , NJW3281G , NJW44H11 , NJW44H11G , NJVNJD1718T4G , NSS20300MR6 , NSS20500UW3T2G , NSS20500UW3TBG .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor