NSS20501UW3T2G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NSS20501UW3T2G 📄📄
Маркировка: VD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250
Корпус транзистора: WDFN3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для NSS20501UW3T2G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSS20501UW3T2G даташит
nss20501uw3-d.pdf
NSS20501UW3T2G 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa
nss20501uw3.pdf
NSS20501UW3 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importan
nss20500uw3.pdf
NSS20500UW3 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importan
Другие транзисторы: NJW21194G, NJW3281G, NJW44H11, NJW44H11G, NJVNJD1718T4G, NSS20300MR6, NSS20500UW3T2G, NSS20500UW3TBG, 2SA1943, NSS20501UW3TBG, NSS20601CF8T1G, NSS40200LT1G, NSS40201LT1G, NSS40300DDR2G, NSS40300MDR2G, NJVMJD112G, NJVMJD112T4G
History: CS1774 | D26E5 | D26G1 | D26E2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527



