NSS20501UW3TBG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS20501UW3TBG

Маркировка: VD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: WDFN3

 Аналоги (замена) для NSS20501UW3TBG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS20501UW3TBG даташит

 3.1. Size:82K  onsemi
 nss20501uw3-d.pdf pdf_icon

NSS20501UW3TBG

NSS20501UW3T2G 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 3.2. Size:161K  onsemi
 nss20501uw3.pdf pdf_icon

NSS20501UW3TBG

NSS20501UW3 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importan

 7.1. Size:103K  onsemi
 nss20500uw3.pdf pdf_icon

NSS20501UW3TBG

NSS20500UW3 20 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NJW3281G, NJW44H11, NJW44H11G, NJVNJD1718T4G, NSS20300MR6, NSS20500UW3T2G, NSS20500UW3TBG, NSS20501UW3T2G, TIP122, NSS20601CF8T1G, NSS40200LT1G, NSS40201LT1G, NSS40300DDR2G, NSS40300MDR2G, NJVMJD112G, NJVMJD112T4G, NJVMJD117T4G