Справочник транзисторов. NSBA114EDP6T5G

 

Биполярный транзистор NSBA114EDP6T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSBA114EDP6T5G
   Маркировка: F
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT963
 

 Аналог (замена) для NSBA114EDP6T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBA114EDP6T5G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:96K  onsemi
nsba114edp6.pdfpdf_icon

NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G SeriesPreferred DevicesDual Digital Transistors(BRT)PNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The digital transistor(3) (2) (1)contains a single transistor with a monolithic bias network consistin

 3.2. Size:89K  onsemi
nsba114edp6 nsba114edxv6.pdfpdf_icon

NSBA114EDP6T5G

MUN5111DW1,NSBA114EDXV6,NSBA114EDP6Dual PNP Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 10 kWPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 5.1. Size:101K  onsemi
nsba114edxv.pdfpdf_icon

NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDXV6T1,NSBA114EDXV6T5 SERIESPreferred DevicesDual Bias ResistorTransistorsPNP Silicon Surface Mount Transistorshttp://onsemi.comwith Monolithic Bias Resistor Network(3) (2) (1)The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseR1 R2resistor and a base-emitter resistor. These digi

Другие транзисторы... NJVMJD44H11RLG , NJVMJD44H11T4G , NJVMJD45H11G , NJVMJD45H11RLG , NJVMJD45H11T4G , NJVMJD47T4G , NJVMJD50T4G , NJVMJD6039T4G , C3198 , NSBA114EDXV6T1G , NSBA114EF3T5G , NSBA114TDP6T5G , NSBA114TDXV6T1G , NSBA114TDXV6T5G , NSBA114TF3T5G , NSBA114YDP6T5G , NSBA114YDXV6T1G .

History: STC5555 | PMBTA64 | KT391A-2

 

 
Back to Top

 


 
.