NSBA114EDXV6T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSBA114EDXV6T1G

Маркировка: 0A

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SOT563

 Аналоги (замена) для NSBA114EDXV6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBA114EDXV6T1G даташит

 2.1. Size:89K  onsemi
 nsba114edp6 nsba114edxv6.pdf pdf_icon

NSBA114EDXV6T1G

MUN5111DW1, NSBA114EDXV6, NSBA114EDP6 Dual PNP Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 3.1. Size:101K  onsemi
 nsba114edxv.pdf pdf_icon

NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1, NSBA114EDXV6T5 SERIES Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network (3) (2) (1) The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R1 R2 resistor and a base-emitter resistor. These digi

 5.1. Size:96K  onsemi
 nsba114edp6.pdf pdf_icon

NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDP6T5G Series Preferred Devices Dual Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The digital transistor (3) (2) (1) contains a single transistor with a monolithic bias network consistin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NJVMJD44H11T4G, NJVMJD45H11G, NJVMJD45H11RLG, NJVMJD45H11T4G, NJVMJD47T4G, NJVMJD50T4G, NJVMJD6039T4G, NSBA114EDP6T5G, TIP42, NSBA114EF3T5G, NSBA114TDP6T5G, NSBA114TDXV6T1G, NSBA114TDXV6T5G, NSBA114TF3T5G, NSBA114YDP6T5G, NSBA114YDXV6T1G, NSBA114YF3T5G