Справочник транзисторов. NSBA114YDXV6T1G

 

Биполярный транзистор NSBA114YDXV6T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSBA114YDXV6T1G
   Маркировка: 0D
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT563
 

 Аналог (замена) для NSBA114YDXV6T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBA114YDXV6T1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:128K  onsemi
nsba114ydxv6t1g.pdfpdf_icon

NSBA114YDXV6T1G

MUN5114DW1,NSBA114YDXV6,NSBA114YDP6Dual PNP Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 47 kWPIN CONNECTIONSPNP Transistors with Monolithic BiasResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singleR1 R2device and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor wit

 5.1. Size:99K  onsemi
nsba114ydp6t5g.pdfpdf_icon

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114EDP6T5G SeriesPreferred DevicesDual Digital Transistors(BRT)PNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The digital transistor(3) (2) (1)contains a single transistor with a monolithic bias network consistin

 6.1. Size:115K  onsemi
nsba114yf3t5g.pdfpdf_icon

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114EF3T5G SeriesPreferred DevicesDigital Transistors (BRT)PNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The digital transistorhttp://onsemi.comcontains a single transistor with a monolithic bias network consistingof two resistors;

Другие транзисторы... NSBA114EDP6T5G , NSBA114EDXV6T1G , NSBA114EF3T5G , NSBA114TDP6T5G , NSBA114TDXV6T1G , NSBA114TDXV6T5G , NSBA114TF3T5G , NSBA114YDP6T5G , 2SD669A , NSBA114YF3T5G , NST30010MXV6T1G , NST3904DP6T5G , NST3904DXV6T1G , NST3904DXV6T5G , NST3906DP6T5G , NST3906DXV6T1G , NST3946DP6T5G .

 

 
Back to Top

 


 
.