NSBA114YDXV6T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSBA114YDXV6T1G

Маркировка: 0D

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT563

 Аналоги (замена) для NSBA114YDXV6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBA114YDXV6T1G даташит

 0.1. Size:128K  onsemi
 nsba114ydxv6t1g.pdf pdf_icon

NSBA114YDXV6T1G

MUN5114DW1, NSBA114YDXV6, NSBA114YDP6 Dual PNP Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 47 kW PIN CONNECTIONS PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single R1 R2 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 5.1. Size:99K  onsemi
 nsba114ydp6t5g.pdf pdf_icon

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114EDP6T5G Series Preferred Devices Dual Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The digital transistor (3) (2) (1) contains a single transistor with a monolithic bias network consistin

 6.1. Size:115K  onsemi
 nsba114yf3t5g.pdf pdf_icon

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114EF3T5G Series Preferred Devices Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The digital transistor http //onsemi.com contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors;

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSBA114EDP6T5G, NSBA114EDXV6T1G, NSBA114EF3T5G, NSBA114TDP6T5G, NSBA114TDXV6T1G, NSBA114TDXV6T5G, NSBA114TF3T5G, NSBA114YDP6T5G, D880, NSBA114YF3T5G, NST30010MXV6T1G, NST3904DP6T5G, NST3904DXV6T1G, NST3904DXV6T5G, NST3906DP6T5G, NST3906DXV6T1G, NST3946DP6T5G