NST65010MW6T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NST65010MW6T1G

Маркировка: 4G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для NST65010MW6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NST65010MW6T1G даташит

 3.1. Size:139K  onsemi
 nst65010mw6.pdf pdf_icon

NST65010MW6T1G

NST65010MW6 Dual Matched General Purpose Transistor PNP Matched Pair These transistors are housed in an ultra-small SOT-363 package www.onsemi.com ideally suited for portable products. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, eliminating the need for costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential, 6 Sense and Balanced Amplifiers

 5.1. Size:70K  onsemi
 nst65010m.pdf pdf_icon

NST65010MW6T1G

NST65010MW6 Dual Matched General Purpose Transistor PNP Matched Pair These transistors are housed in an ultra-small SOT-363 package www.onsemi.com ideally suited for portable products. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, eliminating the need for costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential, 6 Sense and Balanced Amplifiers

 7.1. Size:141K  onsemi
 nst65011mw6.pdf pdf_icon

NST65010MW6T1G

NST65011MW6 Dual Matched General Purpose Transistor NPN Matched Pair These transistors are housed in an ultra-small SOT-363 package www.onsemi.com ideally suited for portable products. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, eliminating the need for costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential, Sense and Balanced Amplifiers; M

Другие транзисторы: NST3906DP6T5G, NST3906DXV6T1G, NST3946DP6T5G, NST3946DXV6T1G, NST3946DXV6T5G, NST45010MW6T1G, NST489AMT1G, NST65010M, BC639, NST65011M, NST65011MW6T1G, NST847BDP6T5G, NST857BDP6T5G, 3DD5011, 2SD5011, D4203D, NSBA113EDXV6