Справочник транзисторов. NSBA113EF3T5G

 

Биполярный транзистор NSBA113EF3T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSBA113EF3T5G
   Маркировка: L
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3
   Корпус транзистора: SOT1123-3
 

 Аналог (замена) для NSBA113EF3T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBA113EF3T5G Datasheet (PDF)

 4.1. Size:110K  onsemi
 nsba113ef3.pdf pdf_icon

NSBA113EF3T5G

MUN2130, MMUN2130L,MUN5130, DTA113EE,DTA113EM3, NSBA113EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 1 kW, R2 = 1 kWwww.onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (BRT)

 4.2. Size:450K  onsemi
 mun2130 mmun2130l mun5130 dta113ee dta113em3 nsba113ef3.pdf pdf_icon

NSBA113EF3T5G

MUN2130, MMUN2130L,MUN5130, DTA113EE,DTA113EM3, NSBA113EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 1 kW, R2 = 1 kWwww.onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (BRT)

 6.1. Size:74K  onsemi
 nsba113edxv6.pdf pdf_icon

NSBA113EF3T5G

MUN5130DW1,NSBA113EDXV6Dual PNP Bias ResistorTransistorsR1 = 1 kW, R2 = 1 kWhttp://onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single(3) (2) (1)device and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic biasR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NST857BDP6T5G , 3DD5011 , 2SD5011 , D4203D , NSBA113EDXV6 , NSBA113EDXV6T1 , NSBA113EDXV6T1G , NSBA113EF3 , TIP36C , NSBA115EDXV6 , NSBA115EDXV6T1G , NSBA115TDP6 , NSBA115TDP6T5G , NSBA115TF3 , NSBA115TF3T5G , NSBA123EDXV6 , NSBA123EDXV6T1G .

History: KRA731F

 

 
Back to Top

 


 
.