Справочник транзисторов. NSS1C200MZ4T3G

 

Биполярный транзистор NSS1C200MZ4T3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS1C200MZ4T3G
   Маркировка: 1C200
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для NSS1C200MZ4T3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS1C200MZ4T3G Datasheet (PDF)

 2.1. Size:109K  onsemi
 nss1c200mz4t1g.pdf pdf_icon

NSS1C200MZ4T3G

NSS1C200MZ4,NSV1C200MZ4100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy cont

 3.1. Size:198K  onsemi
 nss1c200mz4 nsv1c200mz4.pdf pdf_icon

NSS1C200MZ4T3G

PNP Transistor, Low VCE(sat)100 V, 2.0 ANSS1C200MZ4,NSV1C200MZ4ON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowwww.onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications-100 VOLTS, 2.0 AMPSwhere affordable ef

 3.2. Size:100K  onsemi
 nss1c200mz4.pdf pdf_icon

NSS1C200MZ4T3G

NSS1C200MZ4100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.