Справочник транзисторов. NSVMMBT589LT1G

 

Биполярный транзистор NSVMMBT589LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVMMBT589LT1G
   Маркировка: G3
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSVMMBT589LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVMMBT589LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  onsemi
 nsvmmbt589lt1g.pdf pdf_icon

NSVMMBT589LT1G

MMBT589LT1G,NSVMMBT589LT1GHigh Current Surface MountPNP Silicon SwitchingTransistor for Loadhttp://onsemi.comManagement in Portable Applications30 VOLTS, 2.0 AMPSPNP TRANSISTORSFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change RequirementsSOT-23 (TO-236) These Devices are P

 ..2. Size:164K  onsemi
 mmbt589lt1g nsvmmbt589lt1g.pdf pdf_icon

NSVMMBT589LT1G

MMBT589LT1G,NSVMMBT589LT1GHigh Current Surface MountPNP Silicon SwitchingTransistor for Loadwww.onsemi.comManagement in Portable Applications30 VOLTS, 2.0 AMPSPNP TRANSISTORSFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BF

 6.1. Size:82K  onsemi
 nsvmmbt5088lt3g.pdf pdf_icon

NSVMMBT589LT1G

MMBT5088L, MMBT5089LLow Noise TransistorsNPN SiliconFeatures S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiringhttp://onsemi.comUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23 (TO-236)CASE 318MAXIMUM RATINGSSTYLE 6Rating Symbol Value Unit

 6.2. Size:125K  onsemi
 nsvmmbt5401lt3g.pdf pdf_icon

NSVMMBT589LT1G

MMBT5401L, SMMBT5401L,NSVMMBT5401LHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSOT-23 (TO-236)CompliantCASE 318STYLE 6MAXIMUM RATINGSCOLLECTO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NSS1C301ET4G , NSVMMBT2222ATT1G , NSVMMBT2907AWT1G , NSVMMBT5087LT1G , NSVMMBT5087LT3G , NSVMMBT5088LT3G , NSVMMBT5401LT3G , NSVMMBT5401WT1G , 2SC1740 , NSVMMBT6429LT1G , NSVMMBT6517LT1G , NSVMMBT6520LT1G , NSVMMBTA05LT1G , NSVMMBTH10LT1G , NSVDTA113EM3T5G , NSVDTA114EET1G , NSVDTA114EM3T5G .

History: NSS20501UW3T2G

 

 
Back to Top

 


 
.