NSVMMBT6429LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVMMBT6429LT1G

Маркировка: M1L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для NSVMMBT6429LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVMMBT6429LT1G даташит

 0.1. Size:82K  onsemi
mmbt6428lt1g mmbt6429lt1g nsvmmbt6429lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBT6429LT1G

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, NSVMMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon www.onsemi.com Features COLLECTOR 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2 EMITTER 3 SOT-23 (TO-236) MAXIMUM

 0.2. Size:125K  onsemi
nsvmmbt6429lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBT6429LT1G

MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, NSVMMBT6429LT1G Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features COLLECTOR 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 2 EMITTER 3 SOT-23 (TO-236) MAXIM

 6.1. Size:123K  onsemi
nsvmmbt6520lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBT6429LT1G

MMBT6520L, NSVMMBT6520L High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 BASE Compliant 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit C

 6.2. Size:196K  onsemi
mmbt6520l nsvmmbt6520l.pdfpdf_icon

NSVMMBT6429LT1G

MMBT6520L, NSVMMBT6520L High Voltage Transistor PNP Silicon www.onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 BASE Compliant 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Coll

Другие транзисторы: NSVMMBT2222ATT1G, NSVMMBT2907AWT1G, NSVMMBT5087LT1G, NSVMMBT5087LT3G, NSVMMBT5088LT3G, NSVMMBT5401LT3G, NSVMMBT5401WT1G, NSVMMBT589LT1G, MJE350, NSVMMBT6517LT1G, NSVMMBT6520LT1G, NSVMMBTA05LT1G, NSVMMBTH10LT1G, NSVDTA113EM3T5G, NSVDTA114EET1G, NSVDTA114EM3T5G, NSVDTA115EET1G