Справочник транзисторов. NSVDTA114EM3T5G

 

Биполярный транзистор NSVDTA114EM3T5G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: NSVDTA114EM3T5G
   Маркировка: 6A
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для NSVDTA114EM3T5G

 

 

NSVDTA114EM3T5G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:156K  onsemi
 nsvdta114em3t5g.pdf

NSVDTA114EM3T5G NSVDTA114EM3T5G

MUN2111, MMUN2111L,MUN5111, DTA114EE,DTA114EM3, NSBA114EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 10 kWhttp://onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (

 4.1. Size:156K  onsemi
 nsvdta114eet1g.pdf

NSVDTA114EM3T5G NSVDTA114EM3T5G

MUN2111, MMUN2111L,MUN5111, DTA114EE,DTA114EM3, NSBA114EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 10 kWhttp://onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (

 6.1. Size:110K  onsemi
 nsvdta113em3t5g.pdf

NSVDTA114EM3T5G NSVDTA114EM3T5G

MUN2130, MMUN2130L,MUN5130, DTA113EE,DTA113EM3, NSBA113EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 1 kW, R2 = 1 kWwww.onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (BRT)

 6.2. Size:99K  onsemi
 nsvdta115eet1g.pdf

NSVDTA114EM3T5G NSVDTA114EM3T5G

MUN2136, MMUN2136L,MUN5136, DTA115EE,DTA115EM3Digital Transistors (BRT)R1 = 100 kW, R2 = 100 kWwww.onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (BRT) contains

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MPSA12

 

 
Back to Top