NSVDTA143ZET1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NSVDTA143ZET1G
Маркировка: 6K
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SOT416
Аналоги (замена) для NSVDTA143ZET1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSVDTA143ZET1G даташит
nsvdta143zet1g.pdf
MUN2133, MMUN2133L, MUN5133, DTA143ZE, DTA143ZM3, NSBA143ZF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW http //onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor
nsvdta144eet1g.pdf
MUN2113, MMUN2113L, MUN5113, DTA144EE, DTA144EM3, NSBA144EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 47 kW, R2 = 47 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT
nsvdta144wet1g.pdf
MUN2137, MMUN2137L, MUN5137, DTA144WE, DTA144WM3, NSBA144WF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 47 kW, R2 = 22 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT
nsvdta113em3t5g.pdf
MUN2130, MMUN2130L, MUN5130, DTA113EE, DTA113EM3, NSBA113EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kW, R2 = 1 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT)
Другие транзисторы: NSVMMBT6520LT1G, NSVMMBTA05LT1G, NSVMMBTH10LT1G, NSVDTA113EM3T5G, NSVDTA114EET1G, NSVDTA114EM3T5G, NSVDTA115EET1G, NSVDTA123EM3T5G, BC547, NSVDTA144EET1G, NSVDTA144WET1G, NSVDTC113EM3T5G, NSVDTC114YM3T5G, NSVDTC123EM3T5G, NSVDTC143ZET1G, NSVDTC143ZM3T5G, NSVDTC144EM3T5G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450








