NSBC114EDP6. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NSBC114EDP6
Маркировка: A
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35
Корпус транзистора: SOT963
Аналоги (замена) для NSBC114EDP6
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSBC114EDP6 даташит
nsbc114edp6.pdf
MUN5211DW1, NSBC114EDXV6, NSBC114EDP6 Dual NPN Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single transistor wit
nsbc114edxv6-d.pdf
NSBC114EDXV6T1, NSBC114EDXV6T5 Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with (3) (2) (1) a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R1 R2 resistor and a base-emitter resistor. These digital tra
nsbc114edxv6.pdf
MUN5211DW1, NSBC114EDXV6, NSBC114EDP6 Dual NPN Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single transistor wit
nsbc114epdp6.pdf
MUN5311DW1, NSBC114EPDXV6, NSBC114EPDP6 Complementary Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW NPN and PNP Transistors with Monolithic PIN CONNECTIONS Bias Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single
Другие транзисторы: NSVDTC144TM3T5G, NSVDTC144WET1G, NSBC113EDXV6, NSBC113EDXV6T1G, NSBC113EF3, NSBC113EF3T5G, NSBC113EPDXV6, NSBC113EPDXV6T1G, TIP122, NSBC114EDP6T5G, NSBC114EDXV6, NSBC114EDXV6T1G, NSBC114EDXV6T5G, NSBC114EF3, NSBC114EF3T5G, NSBC114EPDP6, NSBC114EPDP6T5G
History: BFP11
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet







