NSBC114EDXV6T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSBC114EDXV6T1G

Маркировка: 7A

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SOT563

 Аналоги (замена) для NSBC114EDXV6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBC114EDXV6T1G даташит

 2.1. Size:81K  onsemi
 nsbc114edxv6-d.pdf pdf_icon

NSBC114EDXV6T1G

NSBC114EDXV6T1, NSBC114EDXV6T5 Preferred Devices Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors http //onsemi.com with Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with (3) (2) (1) a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R1 R2 resistor and a base-emitter resistor. These digital tra

 2.2. Size:89K  onsemi
 nsbc114edxv6.pdf pdf_icon

NSBC114EDXV6T1G

MUN5211DW1, NSBC114EDXV6, NSBC114EDP6 Dual NPN Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 5.1. Size:89K  onsemi
 nsbc114edp6.pdf pdf_icon

NSBC114EDXV6T1G

MUN5211DW1, NSBC114EDXV6, NSBC114EDP6 Dual NPN Bias Resistor Transistors http //onsemi.com R1 = 10 kW, R2 = 10 kW NPN Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network (3) (2) (1) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 R2 Transistor (BRT) contains a single transistor wit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSBC113EDXV6T1G, NSBC113EF3, NSBC113EF3T5G, NSBC113EPDXV6, NSBC113EPDXV6T1G, NSBC114EDP6, NSBC114EDP6T5G, NSBC114EDXV6, BD140, NSBC114EDXV6T5G, NSBC114EF3, NSBC114EF3T5G, NSBC114EPDP6, NSBC114EPDP6T5G, NSBC114EPDXV6, NSBC114EPDXV6T1G, NSBC114EPDXV6T5G