Справочник транзисторов. 2N699

 

Биполярный транзистор 2N699 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N699
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2N699

 

 

2N699 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  rca
2n699.pdf

2N699

 ..2. Size:198K  cdil
2n699.pdf

2N699
2N699

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2N 699TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 80 VVCBOCollector Base Voltage 120 VVEBOEmitter Base Voltage 5VPDTota

 0.1. Size:57K  microsemi
2n6989-2n6990.pdf

2N699
2N699

TECHNICAL DATA MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/559 Devices Qualified Level JAN 2N6989 JANTX 2N6990 2N6989U JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS (1) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage (3) 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage (3) 75 Vdc TO- 116* VCBO Emitter-Base Voltage (3) 6.0 Vdc 2N6

Другие транзисторы... 2N696A , 2N696S , 2N697 , 2N697A , 2N697S , 2N698 , 2N6987 , 2N6988 , BC548 , 2N699A , 2N699B , 2N699S , 2N70 , 2N700 , 2N700-18 , 2N700A , 2N700A-18 .

 

 
Back to Top