Справочник транзисторов. NSBC114YDXV6T5G

 

Биполярный транзистор NSBC114YDXV6T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSBC114YDXV6T5G
   Маркировка: 7D
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT563
 

 Аналог (замена) для NSBC114YDXV6T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBC114YDXV6T5G Datasheet (PDF)

 2.1. Size:90K  onsemi
 nsbc114ydxv6.pdf pdf_icon

NSBC114YDXV6T5G

MUN5214DW1,NSBC114YDXV6,NSBC114YDP6Dual NPN Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 47 kWNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 5.1. Size:90K  onsemi
 nsbc114ydp6.pdf pdf_icon

NSBC114YDXV6T5G

MUN5214DW1,NSBC114YDXV6,NSBC114YDP6Dual NPN Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 47 kWNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 6.1. Size:103K  onsemi
 nsbc114ypdxv6.pdf pdf_icon

NSBC114YDXV6T5G

MUN5314DW1,NSBC114YPDXV6,NSBC114YPDP6Complementary BiasResistor Transistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 47 kWPIN CONNECTIONSNPN and PNP Transistors with MonolithicBias Resistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single

 6.2. Size:156K  onsemi
 nsbc114yf3.pdf pdf_icon

NSBC114YDXV6T5G

MUN2214, MMUN2214L,MUN5214, DTC114YE,DTC114YM3, NSBC114YF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 47 kWhttp://onsemi.comNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NSBC114TF3T5G , CPH3244 , NSBC114TPDXV6 , NSBC114TPDXV6T1G , NSBC114YDP6 , NSBC114YDP6T5G , NSBC114YDXV6 , NSBC114YDXV6T1G , S8550 , NSBC114YF3 , NSBC114YF3T5G , NSBC114YPDP6 , NSBC114YPDP6T5G , NSBC114YPDXV6 , NSBC114YPDXV6T1G , NSBC114YPDXV6T5G , NSBC115EDXV6 .

History: DTA143TKA | BFS36A | LUMG2NT1G | 2SB78 | GE10023 | NSS30101LT1G | NPS3706

 

 
Back to Top

 


 
.