Биполярный транзистор NSBC115TPDP6T5G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NSBC115TPDP6T5G
Маркировка: J
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT963
Аналоги (замена) для NSBC115TPDP6T5G
NSBC115TPDP6T5G Datasheet (PDF)
nsbc115tpdp6.pdf
NSBC115TPDP6Complementary BiasResistor TransistorsR1 = 100 kW, R2 = 8 kWNPN and PNP Transistors with Monolithichttp://onsemi.comBias Resistor NetworkPIN CONNECTIONSThis series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias Resistor(3) (2) (1)Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias
nsbc115tf3.pdf
MUN2241, MMUN2241L,MUN5241, DTC115TE,DTC115TM3, NSBC115TF3Digital Transistors (BRT)R1 = 100 kW, R2 = 8 kWhttp://onsemi.comNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (
nsbc115tdp6.pdf
NSBC115TDDual NPN Bias ResistorTransistorsR1 = 100 kW, R2 = 8 kWNPN Transistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor NetworkMARKING This series of digital transistors is designed to replace a singleDIAGRAMdevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic biasAFMGSOT-963network cons
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
