Справочник транзисторов. NSV60200LT1G

 

Биполярный транзистор NSV60200LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSV60200LT1G
   Маркировка: VG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.54 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 62 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSV60200LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV60200LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  onsemi
nsv60200lt1g.pdfpdf_icon

NSV60200LT1G

NSS60200LT1G60 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:121K  onsemi
nsv60201lt1g.pdfpdf_icon

NSV60200LT1G

NSS60201LT1G60 V, 4.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 9.1. Size:116K  onsemi
nsv60100dmtwtbg.pdfpdf_icon

NSV60200LT1G

NSS60100DMT60 V, 1 A, Low VCE(sat) PNPTransistorsON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.

 9.2. Size:109K  onsemi
nsv60101dmtwtbg.pdfpdf_icon

NSV60200LT1G

NSS60101DMT60 V, 1 A, Low VCE(sat) NPNTransistorsON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: LDTA115EM3T5G | 2SC3183 | 2SC634SP

 

 
Back to Top

 


 
.