Справочник транзисторов. NSVBC848BWT1G

 

Биполярный транзистор NSVBC848BWT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVBC848BWT1G
   Маркировка: 1K
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для NSVBC848BWT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBC848BWT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  onsemi
nsvbc848bwt1g.pdfpdf_icon

NSVBC848BWT1G

BC846, BC847, BC848General PurposeTransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which isdesigned for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC

 6.1. Size:116K  onsemi
nsvbc848clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC848BWT1G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-

 6.2. Size:110K  onsemi
nsvbc848cdw1t1g.pdfpdf_icon

NSVBC848BWT1G

BC846BDW1, BC847BDW1,BC848CDW1Dual General PurposeTransistorsNPN Dualswww.onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.Features SOT-363CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSTYLE 1Requiring Unique Site and

 7.1. Size:111K  onsemi
bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC848BWT1G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-

Другие транзисторы... NSV60601MZ4T3G , NSV9435T1G , NSVBC817-16LT1G , NSVBC818-40LT1G , NSVBC846BM3T5G , NSVBC847BDW1T2G , NSVBC847BLT3G , NSVBC847BTT1G , 2SA1837 , NSVBC848CDW1T1G , NSVBC848CLT1G , NSVBC850BLT1G , NSVBC850CLT1G , NSVBC857BLT3G , NSVBC857BTT1G , NSVBC857CWT1G , NSVBC858BLT1G .

History: 2SB105 | BLY48A | BU409 | 2SD221F

 

 
Back to Top

 


 
.