NSVBC848CDW1T1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NSVBC848CDW1T1G
Маркировка: 1L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для NSVBC848CDW1T1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSVBC848CDW1T1G даташит
nsvbc848cdw1t1g.pdf
BC846BDW1, BC847BDW1, BC848CDW1 Dual General Purpose Transistors NPN Duals www.onsemi.com These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications. Features SOT-363 CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications STYLE 1 Requiring Unique Site and
nsvbc848clt1g.pdf
BC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model >4000 V ESD Rating - Machine Model >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 These Devices are Pb-
nsvbc848bwt1g.pdf
BC846, BC847, BC848 General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC
Другие транзисторы: NSV9435T1G, NSVBC817-16LT1G, NSVBC818-40LT1G, NSVBC846BM3T5G, NSVBC847BDW1T2G, NSVBC847BLT3G, NSVBC847BTT1G, NSVBC848BWT1G, 2SC1815, NSVBC848CLT1G, NSVBC850BLT1G, NSVBC850CLT1G, NSVBC857BLT3G, NSVBC857BTT1G, NSVBC857CWT1G, NSVBC858BLT1G, NSVBC858CLT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent



