NSVBC848CDW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVBC848CDW1T1G

Маркировка: 1L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для NSVBC848CDW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBC848CDW1T1G даташит

 0.1. Size:110K  onsemi
nsvbc848cdw1t1g.pdfpdf_icon

NSVBC848CDW1T1G

BC846BDW1, BC847BDW1, BC848CDW1 Dual General Purpose Transistors NPN Duals www.onsemi.com These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications. Features SOT-363 CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications STYLE 1 Requiring Unique Site and

 5.1. Size:116K  onsemi
nsvbc848clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC848CDW1T1G

BC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model >4000 V ESD Rating - Machine Model >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 These Devices are Pb-

 6.1. Size:109K  onsemi
nsvbc848bwt1g.pdfpdf_icon

NSVBC848CDW1T1G

BC846, BC847, BC848 General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

Другие транзисторы: NSV9435T1G, NSVBC817-16LT1G, NSVBC818-40LT1G, NSVBC846BM3T5G, NSVBC847BDW1T2G, NSVBC847BLT3G, NSVBC847BTT1G, NSVBC848BWT1G, 2SC1815, NSVBC848CLT1G, NSVBC850BLT1G, NSVBC850CLT1G, NSVBC857BLT3G, NSVBC857BTT1G, NSVBC857CWT1G, NSVBC858BLT1G, NSVBC858CLT1G