Справочник транзисторов. NSVBC850BLT1G

 

Биполярный транзистор NSVBC850BLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVBC850BLT1G
   Маркировка: 2F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSVBC850BLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBC850BLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  onsemi
bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC850BLT1G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-

 ..2. Size:116K  onsemi
nsvbc850blt1g.pdfpdf_icon

NSVBC850BLT1G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-

 ..3. Size:108K  onsemi
bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g nsvbc849blt1g bc849clt1g bc849clt3g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC850BLT1G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatureswww.onsemi.com Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating - Human Body Model: > 4000 VESD Rating - Machine Model: > 400 VCOLLECTOR3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1011Qualified and PPAP CapableBASE These Device

 6.1. Size:116K  onsemi
nsvbc850clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC850BLT1G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-

Другие транзисторы... NSVBC818-40LT1G , NSVBC846BM3T5G , NSVBC847BDW1T2G , NSVBC847BLT3G , NSVBC847BTT1G , NSVBC848BWT1G , NSVBC848CDW1T1G , NSVBC848CLT1G , B772 , NSVBC850CLT1G , NSVBC857BLT3G , NSVBC857BTT1G , NSVBC857CWT1G , NSVBC858BLT1G , NSVBC858CLT1G , NSS20101J , NSS20200LT1G .

History: NKT229 | AC242 | BF292B | DTA410

 

 
Back to Top

 


 
.