Справочник транзисторов. NSVBC857BLT3G

 

Биполярный транзистор NSVBC857BLT3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVBC857BLT3G
   Маркировка: 3F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSVBC857BLT3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBC857BLT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  onsemi
 nsvbc857blt3g.pdf pdf_icon

NSVBC857BLT3G

BC856ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsPNP SiliconFeatureshttp://onsemi.com S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101COLLECTORQualified and PPAP Capable3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant1BASE2EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless other

 5.1. Size:67K  onsemi
 nsvbc857btt1g.pdf pdf_icon

NSVBC857BLT3G

BC857BTT1GGeneral Purpose TransistorPNP SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-416/SC-75 which isdesigned for low power surface mount applications.http://onsemi.comFeaturesCOLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualifi

 6.1. Size:81K  onsemi
 nsvbc857cwt1g.pdf pdf_icon

NSVBC857BLT3G

BC856B, BC857B, BC858AGeneral PurposeTransistorsPNP SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which isdesigned for low power surface mount applications.COLLECTOR3Features S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring1Unique Site and Control Change Requirement

 7.1. Size:111K  onsemi
 bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdf pdf_icon

NSVBC857BLT3G

BC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model: >4000 VESD Rating - Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable1 These Devices are Pb-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NSVBC847BDW1T2G , NSVBC847BLT3G , NSVBC847BTT1G , NSVBC848BWT1G , NSVBC848CDW1T1G , NSVBC848CLT1G , NSVBC850BLT1G , NSVBC850CLT1G , BC546 , NSVBC857BTT1G , NSVBC857CWT1G , NSVBC858BLT1G , NSVBC858CLT1G , NSS20101J , NSS20200LT1G , NSS20201LT1G , NSS20201MR6 .

History: K2104A | 2SD5074

 

 
Back to Top

 


 
.