Справочник транзисторов. NSS20201LT1G

 

Биполярный транзистор NSS20201LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: NSS20201LT1G
   Маркировка: VD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.54 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для NSS20201LT1G

 

 

NSS20201LT1G Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .