Справочник транзисторов. NSS40501UW3T2G

 

Биполярный транзистор NSS40501UW3T2G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS40501UW3T2G
   Маркировка: VB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: WDFN3
 

 Аналог (замена) для NSS40501UW3T2G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS40501UW3T2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 nss40501uw3t2g.pdf pdf_icon

NSS40501UW3T2G

NSS40501UW3T2G40 V, 7.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

 3.1. Size:163K  onsemi
 nss40501uw3 nsv40501uw3.pdf pdf_icon

NSS40501UW3T2G

NSS40501UW3,NSV40501UW340 V, 5.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy contr

 3.2. Size:79K  onsemi
 nss40501uw3-d.pdf pdf_icon

NSS40501UW3T2G

NSS40501UW3T2G40 V, 7.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationshttp://onsemi.comwhere affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:108K  onsemi
 nss40500uw3t2g.pdf pdf_icon

NSS40501UW3T2G

NSS40500UW3T2G40 V, 6.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is impor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: H1357 | GD190 | 2SC1190 | BUY86

 

 
Back to Top

 


 
.