NSS40501UW3T2G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS40501UW3T2G

Маркировка: VB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: WDFN3

 Аналоги (замена) для NSS40501UW3T2G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS40501UW3T2G даташит

 ..1. Size:80K  onsemi
 nss40501uw3t2g.pdf pdf_icon

NSS40501UW3T2G

NSS40501UW3T2G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 3.1. Size:163K  onsemi
 nss40501uw3 nsv40501uw3.pdf pdf_icon

NSS40501UW3T2G

NSS40501UW3, NSV40501UW3 40 V, 5.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy contr

 3.2. Size:79K  onsemi
 nss40501uw3-d.pdf pdf_icon

NSS40501UW3T2G

NSS40501UW3T2G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:108K  onsemi
 nss40500uw3t2g.pdf pdf_icon

NSS40501UW3T2G

NSS40500UW3T2G 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is impor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSS20201MR6, NSS40300MZ4T1G, NSS40300MZ4T3G, NSS40301MDR2G, NSS40301MZ4T1G, NSS40301MZ4T3G, NSS40302PDR2G, NSS40500UW3T2G, 2SC945, NSS40600CF8T1G, NSS40601CF8T1G, NSS60100DMT, NSS60101DMT, NSS60600MZ4T1G, NSS60600MZ4T3G, NSS60601MZ4T1G, NSS60601MZ4T3G