Справочник транзисторов. NSS60100DMT

 

Биполярный транзистор NSS60100DMT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS60100DMT
   Маркировка: AP
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 155 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: WDFN6
 

 Аналог (замена) для NSS60100DMT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS60100DMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  onsemi
nss60100dmt.pdfpdf_icon

NSS60100DMT

NSS60100DMT60 V, 1 A, Low VCE(sat) PNPTransistorsON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.

 7.1. Size:233K  onsemi
nss60101dmr6.pdfpdf_icon

NSS60100DMT

Low VCE(sat) NPNTransistors, 60 V, 1 ANSS60101DMR6ON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.

 7.2. Size:211K  onsemi
nss60101dmt.pdfpdf_icon

NSS60100DMT

DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) NPN Transistors 60 Volt, 1 AmpNPN Low VCE(sat) Transistors60 V, 1 AMARKINGNSS60101DMTDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1 6WDFN6miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage AN MG2 5CASE 506ANG(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use3 41

 9.1. Size:107K  onsemi
nss60601mz4-d.pdfpdf_icon

NSS60100DMT

NSS60601MZ460 V, 6.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturationvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedfor use in low voltage, high speed switching applications wherehttp://onsemi.comaffordable efficient energy control is important.Typica

Другие транзисторы... NSS40301MDR2G , NSS40301MZ4T1G , NSS40301MZ4T3G , NSS40302PDR2G , NSS40500UW3T2G , NSS40501UW3T2G , NSS40600CF8T1G , NSS40601CF8T1G , 2SB817 , NSS60101DMT , NSS60600MZ4T1G , NSS60600MZ4T3G , NSS60601MZ4T1G , NSS60601MZ4T3G , NSTB1002DXV5 , NSTB1005DXV5 , NSTB60BDW1T1G .

History: SC257A | TN5134 | SRA2205UF | MJE13003A | TN3398

 

 
Back to Top

 


 
.