NSTB1005DXV5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSTB1005DXV5

Маркировка: UC

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT553

 Аналоги (замена) для NSTB1005DXV5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSTB1005DXV5 даташит

 ..1. Size:106K  onsemi
 nstb1005dxv5.pdf pdf_icon

NSTB1005DXV5

NSTB1005DXV5T1G Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount http //onsemi.com Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 31 2 The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with R1 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R2 resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors

 7.1. Size:63K  onsemi
 nstb1002dxv5.pdf pdf_icon

NSTB1005DXV5

NSTB1002DXV5T1G, NSTB1002DXV5T5G Preferred Devices Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors http //onsemi.com NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias 31 2 Resistor Network R1 The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with R2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter

 7.2. Size:63K  onsemi
 nstb1002dxv5-d.pdf pdf_icon

NSTB1005DXV5

NSTB1002DXV5T1G, NSTB1002DXV5T5G Preferred Devices Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors http //onsemi.com NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias 31 2 Resistor Network R1 The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with R2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter

Другие транзисторы: NSS40601CF8T1G, NSS60100DMT, NSS60101DMT, NSS60600MZ4T1G, NSS60600MZ4T3G, NSS60601MZ4T1G, NSS60601MZ4T3G, NSTB1002DXV5, 2SC5198, NSTB60BDW1T1G, NSVB114YPDXV6T1G, NSVB123JPDXV6T1G, NSVB124XPDXV6T1G, NSVB143TPDXV6T1G, NSVB143ZPDXV6T1G, NSVB144EPDXV6T1G, NSVB1706DMW5T1G