Справочник транзисторов. NSVBC114EDXV6T1G

 

Биполярный транзистор NSVBC114EDXV6T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVBC114EDXV6T1G
   Маркировка: 7A
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT563
 

 Аналог (замена) для NSVBC114EDXV6T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBC114EDXV6T1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:89K  onsemi
nsvbc114edxv6t1g.pdfpdf_icon

NSVBC114EDXV6T1G

MUN5211DW1,NSBC114EDXV6,NSBC114EDP6Dual NPN Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 10 kWNPN Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 5.1. Size:101K  onsemi
nsvbc114epdxv6t1g.pdfpdf_icon

NSVBC114EDXV6T1G

MUN5311DW1,NSBC114EPDXV6,NSBC114EPDP6Complementary BiasResistor Transistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 10 kWNPN and PNP Transistors with MonolithicPIN CONNECTIONSBias Resistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single

 6.1. Size:165K  onsemi
nsvbc114ydxv6t1g.pdfpdf_icon

NSVBC114EDXV6T1G

NSBC114EPDXV6T1G,NSVBC114EPDXV6T1G SeriesDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor NetworkThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areSOT-

Другие транзисторы... NSVB123JPDXV6T1G , NSVB124XPDXV6T1G , NSVB143TPDXV6T1G , NSVB143ZPDXV6T1G , NSVB144EPDXV6T1G , NSVB1706DMW5T1G , NSVBA114EDXV6T1G , NSVBA114YDXV6T1G , 2SC828 , NSVBC114EPDXV6T1G , NSVBC114YDXV6T1G , NSVBC124EDXV6T1G , NSV2SA2029M3T5G , NSV2SC5658M3T5G , NSV40200LT1G , NSV40200UW6T1G , NSV40201LT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.