Биполярный транзистор A751 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: A751
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92L
A751 Datasheet (PDF)
a751.pdf
A751PNP silicon APPLICATION: Low Frequency Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VTO-92L1Emitter-base voltage VEBO -5 V1. Emitter 2. Collector 3. BaseCollector current IC -1.5 ACollector Power Dissipation PC 900 mWJun
kra751f-kra754f.pdf
SEMICONDUCTOR KRA751F~KRA754FTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS_2 5+A 1.0 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._+A1 0.7 0.05_+B 1.0 0.05Thin Fine Pitch Super
kra751e-kra756e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA751E~KRA756ETECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BB1FEATURES With Built-in Bias Resistors.1 6 DIM MILLIMETERSSimplify Circuit Design. _A 1.6 + 0.05_A1 1.0 + 0.05Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 52_B 1.6 + 0.05_B1 1.2 + 0.05High Packi
kra751u-kra756u.pdf
SEMICONDUCTOR KRA751U~KRA756UTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORSWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. BFEATURES B1With Built-in Bias Resistors.DIM MILLIMETERS1 6_Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20_2 5 A1 1.3 + 0.1Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process._B 2.1 + 0.13 4 D _B1 1.25 + 0.1Hig
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050