A751. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: A751
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO92L
Аналоги (замена) для A751
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
A751 даташит
a751.pdf
A751 PNP silicon APPLICATION Low Frequency Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -30 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -5 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -1.5 A Collector Power Dissipation PC 900 mW Jun
kra751f-kra754f.pdf
SEMICONDUCTOR KRA751F KRA754F TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS _ 2 5 + A 1.0 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ + A1 0.7 0.05 _ + B 1.0 0.05 Thin Fine Pitch Super
kra751e-kra756e.pdf
SEMICONDUCTOR KRA751E KRA756E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B B1 FEATURES With Built-in Bias Resistors. 1 6 DIM MILLIMETERS Simplify Circuit Design. _ A 1.6 + 0.05 _ A1 1.0 + 0.05 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 5 2 _ B 1.6 + 0.05 _ B1 1.2 + 0.05 High Packi
kra751u-kra756u.pdf
SEMICONDUCTOR KRA751U KRA756U TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. B FEATURES B1 With Built-in Bias Resistors. DIM MILLIMETERS 1 6 _ Simplify Circuit Design. A 2.00 + 0.20 _ 2 5 A1 1.3 + 0.1 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. _ B 2.1 + 0.1 3 4 D _ B1 1.25 + 0.1 Hig
Другие транзисторы: A1588, A1621, A1663, A2071, A327A, A3355, A708, A720, TIP32C, A773, A817, A838, A844, A9015, A928A, A931, A933
History: GI3708 | GI3793
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet




