Биполярный транзистор A966 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: A966
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92L
A966 Datasheet (PDF)
a966.pdf
A966 PNP silicon APPLICATION: Audio Power Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VTO-92L1Emitter-base voltage VEBO -5 V1. Emitter 2. Collector 3. BaseCollector current IC -1.5 ACollector Power Dissipation PC 900 mWJunc
csa966.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSA966TO-92Plastic PackageComplementary CSC2236Audio Power Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 30 VVCBOCollector Base Voltage 30 VVEBO
2sa966.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92L 2SA966 TRANSISTOR (PNP)1. EMITTER FEATURE Complementary to 2SC2236 and 3 Watts Output Applications. 2. COLLECTOR3. BASE Equivalent Circuit A966=Device code A 9 6 6Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device XXX=Code ORDERING INFOR
2sa966.pdf
2SA966TO-92L Transistor (PNP)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 4.70015.100Features Complementary to 2SC2236 and 3 Watts output Applications. 7.8008.200MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted ) 0.6000.800Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 V 0.3500.550VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V 13.80014.200VEB
2sa966 to-92mod.pdf
2SA966 TO-92MOD Transistor (PNP)1. EMITTER TO-92MOD1 2. COLLECTOR 2 3 3. BASE 5.800Features 6.200 Complementary to 2SC2236 and 8.4008.8003 Watts output Applications. 0.9001.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted ) 0.4000.600Symbol Parameter Value Units13.800VCBO Collector-Base Voltage -30 V 14.200VCEO Collector-Emitter Voltage -30
2sa966t.pdf
2SA966T(BR3CG966T) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features 2SC2236T(BR3DG2236T)Complementary to 2SC2236T(BR3DG2236T). / Applications AF power amplifier applications. / Equivalent Circu
a966o a966y.pdf
A966 PNP silicon APPLICATION: Audio Power Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VTO-92L1Emitter-base voltage VEBO -5 V1. Emitter 2. Collector 3. BaseCollector current IC -1.5 ACollector Power Dissipation PC 900 mWJunc
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050