APT17N - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор APT17N - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: APT17N
   Маркировка: GD8
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 480 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для APT17N

APT17N Datasheet (PDF)

..1. Size:432K bcdsemi
apt17n apt17z.pdf

Data SheetHIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR APT17General Description FeaturesThe APT17 is high voltage, small signal NPN transis- High Collector-Emitter Voltage: 480Vtor. ApplicationsThe APT17 is available in SOT-23 and TO-92 pack-ages. High Voltage and Low Standby Power Circuit forBCD Solution SOT-23 TO-92(Bulk Packing) TO-92(Ammo Packing)Figure 1. Package Types of APT17

0.1. Size:163K apt
apt17n80bc3g apt17n80sc3g.pdf

APT17N80BC3APT17N80SC3800V 17A 0.290D3PAKSuper Junction MOSFETTO-247COOLMOSPower Semiconductors Ultra low RDS(ON)D Low Miller Capacitance Ultra Low Gate Charge, QgG Avalanche Energy RatedS TO-247 or Surface Mount D3PAK PackageMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol ParameterAPT17N80BC3_SC

0.2. Size:171K apt
apt17n80sc3.pdf